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中国科学院微电子所突破 3D DRAM 技术：首次展示 4 层 3D 2T0C，数据保持 400 秒
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中国科学院微电子所突破 3D DRAM 技术：首次展示 4 层 3D 2T0C，数据保持 400 秒 - IT之家
该成果实现 400 秒数据保持、单颗单元存储 3bit，解决了多层堆叠方案缺失的问题，可兼顾高容量与高带宽，适配 AI 与高性能计算需求#芯片技术# #3D DRAM#
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