IT之家 6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。 IT之家注意到，人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 过去，芯片厂商只需推出全新存储技术就能满足需求，彼时 DRAM 是核心存储器件。但如今研发成本攀升、工艺良率存在短板、芯片功耗持续走高，行业不得不转向其他可行技术方案。高带宽内存（HBM）此前一直稳步迭代，可受产能短缺影响，其自身也迅速演变为新的性能瓶颈。…