IT之家 6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图，计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。 6 月 14~18 日在美国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP VLSI 技术与电路研讨会（VLSI Symposium 2026）上，三星公开了更完整的 NAND Flash（闪存）路线图。 根据幻灯片披露的路线规划，三星计划 2029 年实现 420 层 NAND 闪存解决方案，到…