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3 小时前
IT之家
进一步增强逻辑性能:三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片
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进一步增强逻辑性能:三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片 - IT之家
HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上,其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。
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