IT之家 8 月 5 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布了其双晶体管 (2T) SRAM 设计 X-SRAM，宣称可实现现有方案 5 倍的片上缓存容量。 IT之家了解到，目前的商业化主流 SRAM 由 6 个晶体管构成，这限制了片上缓存的扩展，而大容量高速 SRAM 缓存非常适合推理解码等人工智能工作负载。Neo Semiconductor 称其可将片上 SRAM 容量提升到 GB 级别。 Neo Semiconductor 展示了 4…