三星公司今天（8 月 5 日）发布博文，宣布其在 2026 年未来存储与内存大会（FMS）上，概述了面向人工智能基础设施的 3D 内存路线图，重点介绍了 DRAM、NAND 闪存、企业级存储、先进封装和半导体制造方面的最新进展。