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全球首次:杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长
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全球首次:杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长 - IT之家
12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高,可大幅降低下游的设备投资和产线切换成本,缩短研发周期。
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